| 专利名称 | 半导体异质结构、其制备方法及应用 | 申请号 | CN201510076931.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105990106A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 周宇;李水明;戴淑君;高宏伟;孙钱 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体异质结构、其制备方法及应用 至半导体异质结构、其制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第一半导体材料为AlxInyGa1?x?yN，其中4.72≤x/y≤5.10，0≤x≤1，0<y<1，而该第二半导体材料为GaN。优选的，0.2<(1?x?y)≤0.6。该制备方法可以包括：在生长形成GaN层后，通过向外延生长设备的反应腔室内同时和/或脉冲通入铝源、铟源、镓源及氮源的方式生长形成AlxInyGa1?x?yN层。利用本发明的半导体异质结构，可以有效简化半导体器件的生产工艺及提高优化半导体器件的可靠性，特别是可以从根本上消除HEMT等器件因应力而导致的可靠性问题，并使其势垒层与GaN层之间保持更为理想的自发极化强度。 |
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