| 专利名称 | 石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件 | 申请号 | CN201510048255.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105990091A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;亨利·H·阿达姆松;王桂磊;赵超 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I | 专利有效期 | 石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件 至石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种石墨烯的生长方法，包括：提供单晶硅或单晶锗的衬底；在衬底上形成Si1-xGexCy的外延层，其中，0.7≤x<1,0.002≤y≤0.05；采用化学气相沉积的方法，在外延层上生长石墨烯层。该方法具有在锗基衬底上制备石墨烯的优势和特点，并能够承受长时间的高温环境，适宜于采用化学气相沉积的方法制备高质量的石墨烯。 |
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