| 专利名称 | 表面富硒的NiSe2纳米片、其制备方法及用途 | 申请号 | CN201610258568.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105947995A | 公开（授权）日 | 2016.09.21 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 何军;王枫梅;程中州 | 主分类号 | C01B19/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/04(2006.01)I | 专利有效期 | 表面富硒的NiSe2纳米片、其制备方法及用途 至表面富硒的NiSe2纳米片、其制备方法及用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种表面富硒的NiSe2纳米片的制备方法，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明先合成Ni(OH)2薄片，然后在高温下硒(Se)化得到表面富硒的NiSe2纳米片。本发明所合成的富硒的NiSe2纳米片化学性稳定、结晶性好、析氢性能优良，同时，本发明所述方法制备工艺简单，操作方便且成本低，利用本发明方法可制造电化学析氢半导体材料，应用在新能源领域。 |
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