| 专利名称 | 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆 | 申请号 | CN201820432955.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN208014653U | 公开（授权）日 | 2018.10.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司 | 发明（设计）人 | 张文伟 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I | 专利有效期 | 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆 至可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆。本实用新型提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象，提高了芯片打线的可靠性。本实用新型提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计，晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片，还包含两根引线，所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。 |
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