| 专利名称 | 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 | 申请号 | CN201721854675.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207993870U | 公开（授权）日 | 2018.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陆江;刘海南;卜建辉;蔡小五;罗家俊 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I | 专利有效期 | 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 至一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本申请提供的一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，涉及半导体器件领域，包括：N+源极，Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；其中，所述N+源极、Pwell区域、N漂移区构成寄生NPN晶体管结构；其中，所述器件还包括：刻槽结构，所述刻槽结构设置在所述N+源极的下方，且在所述刻槽结构的下方区域进行横向扩展，所述横向扩展使得当粒子碰撞产生的空穴流向N+源极时，所述空穴被所述横向扩展收集。达到了在空穴流动路径上提前抽取空穴载流子，大幅度减少在寄生电阻区域流过的空穴电流，从而有效的压制了寄生晶体管的开启，增强了器件抗单粒子能力的可靠性的技术效果。 |
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