| 专利名称 | 一种磁阻传感器 | 申请号 | CN201820428785.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN208000937U | 公开（授权）日 | 2018.10.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司 | 发明（设计）人 | 张文伟 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁阻传感器 至一种磁阻传感器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及传感器技术领域，针对现有磁阻传感器最高分辨率难以提高的问题，而提供一种磁阻传感器。磁阻传感器包括半导体衬底；绝缘层，位于半导体衬底上；第一氮化钽层，位于绝缘层上；坡莫合金层，位于所述第一氮化钽层上；第二氮化钽层，位于所述坡莫合金层上；其特殊之处在于：还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层，以及，位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障