| 专利名称 | 一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201611065587.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106856211A | 公开（授权）日 | 2017.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾溢;张永刚 | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法 至一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法，所述探测器结构由下往上依次为Si(001)衬底、GaP缓冲层、III族稳态条件下生长的InyAl1?yAs缓冲层、As稳态条件下生长的InyAl1?yAs缓冲层、InxGa1?xAs吸收层和InyAl1?yAs帽层。制备方法为依次外延生长即可。本发明可以实现在Si(001)衬底上制备短波红外高In组分InGaAs探测器，适合于发展大规模红外焦平面阵列和低成本器件。 |
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