一种碳化硅粉体的制备方法

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专利名称 一种碳化硅粉体的制备方法 申请号 CN201611088326.X 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN106744967A 公开(授权)日 2017.05.31 申请(专利权)人 中国科学院理化技术研究所 发明(设计)人 刘光华;杨增朝;贺刚;李江涛 主分类号 C01B32/984(2017.01)I IPC主分类号 C01B32/984(2017.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 专利有效期 一种碳化硅粉体的制备方法 至一种碳化硅粉体的制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种碳化硅粉体的制备方法,首先配制反应剂,按一定配比配置硅粉、碳粉、形核剂和催化剂,使原料充分混合;硅粉中含有质量百分数为10%~50%的非晶Si;然后进行燃烧合成,将配制的反应剂装入燃烧合成反应装置中,将反应装置抽真空后充入氮气,利用通电钨丝发热将反应剂点燃,点燃之后反应剂自行持续燃烧直至完全反应;最后对产物收集与处理。本发明通过创造性设计使得设备的大型化成为可能,实现了在较低的温度和压力下单炉合成100kg以上的纳米或亚微米碳化硅粉。通过本发明所述的方法,可将燃烧合成碳化硅技术真正推向大规模工业化生产,为高品质超细碳化硅粉体提供一种崭新的、低成本的生产技术。

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