| 专利名称 | 具有温度跟随特性的相变存储器读电路 | 申请号 | CN201610935023.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106601290A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张琪;陈后鹏;宋志棠 | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 具有温度跟随特性的相变存储器读电路 至具有温度跟随特性的相变存储器读电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种具有温度跟随特性的相变存储器读电路，包括：参考相变存储阵列、相变存储阵列、参考相变存储单元地址寄存模块、参考电流产生模块、钳位电压产生模块及电流比较模块。本发明的相变存储器读电路通过对大规模相变存储阵列的不同位置的环境温度采样，利用高低阻态下相变单元的温度漂移系数，使所述参考电流随环境温度变化具有恰当的自调性，此种特性兼顾了相变存储阵列不同物理位置的温度差异，避免了所述参考电流值与相变单元位线电流值的混叠，提高了所述读出电路在外界环境温度改变时的正确读取。 |
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