| 专利名称 | 一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法 | 申请号 | CN201610695374.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106315570A | 公开（授权）日 | 2017.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 发明（设计）人 | 于乐泳;冯双龙;胡云;孙泰;杨俊;魏大鹏;史浩飞;杜春雷 | 主分类号 | C01B32/186(2017.01)I | IPC主分类号 | C01B32/186(2017.01)I | 专利有效期 | 一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法 至一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法，属于电子生产技术和柔性器件制备领域，该方法步骤包括：(1)制作掩模板图形；(2)固定掩模板和生长基底：(3)低温生长三维石墨烯；通过该方法可制备任意形状的三维石墨烯。该方法步骤简单、高效、成本低、环保，且无需进行加热处理，适用于图形化三维石墨烯的产业化生产，同时也可应用于其他二维三维材料的图形化处理。 |
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