| 专利名称 | 一种用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统 | 申请号 | CN201610406776.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105911029A | 公开（授权）日 | 2016.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 吕蒙;俞国林;林铁;褚君浩 | 主分类号 | G01N21/63(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/63(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统 至一种用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统，测量系统主要由光纤激光器、光纤组件、光纤、真空密封接头、O型圈、螺母、待测样品、磁输运样品室、光谱仪和测试分析计算机等组成。该测量系统的主要特征在于利用光纤组件在深低温、强磁场环境中对样品进行光致发光测试，实现了光致发光测试与深低温、强磁场输运测量的结合。 |
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