| 专利名称 | CMOS自归零电路 | 申请号 | CN201820156282.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207968684U | 公开（授权）日 | 2018.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 袁红辉;陈永平;钟燕平;吕重阳 | 主分类号 | H04N5/374(2011.01)I | IPC主分类号 | H04N5/374(2011.01)I;H04N5/378(2011.01)I;H04N5/361(2011.01)I;H04N5/357(2011.01)I | 专利有效期 | CMOS自归零电路 至CMOS自归零电路 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种CMOS自归零电路，包括一个0.5PF的自归零电容、一个1PF的积分电容和两个降低电荷注入效应的NMOS管。当自归零开关S1和S2为高电平时，电路处于复位期间，将放大器失调电压和噪声电压存储在自归零电容上，S1?为控制补偿管开关，减小S1开关的电荷注入效应。放大器采用差分输入的一级折叠共源共栅结构，克服了传统的二级放大器使用的米勒补偿电容在低温77K下容易引起振荡的缺点；该自归零电路在常温和低温77K之间都能正常工作，噪声比传统的电路低，可应用于非均匀性较大的中波线列红外HgCdTe探测器信号的读出。 |
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