| 专利名称 | 一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 | 申请号 | CN201610424181.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106011778A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;江南大学 | 发明（设计）人 | 丁玉强;杜立永;张羽翔;赵超;项金娟 | 主分类号 | C23C16/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/18(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 至一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法，包括以下步骤：A)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源进行沉积，得到沉积有Ni源的衬底，所述Ni源包括具有式I所示结构的化合物；B)将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Ni源进行还原，得到沉积有Ni薄膜的衬底。本发明采用了具有式I结构的Ni源，将其应用在单原子层沉积技术(ALD)中，使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的含Ni沉积层。并且，采用本发明中的方法制得的Ni膜电阻率更低，实验结果表明，本发明制得的Ni薄膜电阻率在13～24μΩ·cm。 |
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