基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片

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专利名称 基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片 申请号 CN201721815749.7 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN207938610U 公开(授权)日 2018.10.02 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 冯飞;田博文;李昕欣 主分类号 H01L27/06(2006.01)I IPC主分类号 H01L27/06(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I;G01N30/66(2006.01)I;G01N30/60(2006.01)I 专利有效期 基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片 至基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片 法律状态 说明书摘要 本实用新型提供一种基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片,包括:SOI硅片,具有衬底硅、埋氧层以及顶层硅;图形化堆叠结构,包含交叉网状结构,其下方具有释放槽,图形化堆叠结构悬挂于释放槽中;盖基片,键合于顶层硅,盖基片具有微沟槽,图形化堆叠结构位于微沟槽内;微色谱柱的微沟道,形成于衬底硅中,微沟道内具有微柱阵列,微沟道与释放槽连通;底基片,键合于衬底硅,以形成包含微沟槽、释放槽及微沟道的微通道。本实用新型的微热导检测器和微色谱柱分别位于SOI硅片的顶层硅和衬底硅上,增加了设计的灵活性和工艺制作的可控性。本实用新型无需额外的连接部件,具有死体积低、灵敏度高等优点。

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