| 专利名称 | 基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件 | 申请号 | CN201820359523.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207938616U | 公开（授权）日 | 2018.10.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 沈玲燕;程新红;郑理;张栋梁;王谦;顾子悦;俞跃辉 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件 至基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种基于AlGaN/p?GaN沟道的增强型纵向功率器件，该器件包括层叠的GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区以及GaN外延层，所述GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区及GaN外延层的晶向为a轴竖直向上；栅沟槽，穿过n型导电的GaN外延层及p型导电的GaN阱区，并延伸至n型导电的GaN漂移区内；AlGaN层，形成于栅沟槽的底部及侧壁，AlGaN层与p型导电的GaN阱区形成AlGaN/p?GaN异质结沟道；栅介质层；栅极金属层；接触槽，接触槽中填充有金属接触层，金属接触层与GaN阱区形成欧姆接触；上电极以及下电极。本实用新型可有效提高沟道电子迁移率，减小器件导通电阻，同时提高阈值电压实现增强型的器件结构。 |
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