| 专利名称 | 薄膜晶体管和场效应二极管 | 申请号 | CN201820050467.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207925480U | 公开（授权）日 | 2018.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 杜小龙;张永晖;梅增霞;梁会力 | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 专利有效期 | 薄膜晶体管和场效应二极管 至薄膜晶体管和场效应二极管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种薄膜晶体管和场效应二极管，所述薄膜晶体管包括绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的闭合圆环形的沟道层和闭合圆环形的栅电极；以及与所述沟道层相接触的闭合圆环形的源电极和闭合圆环形的漏电极；所述场效应二极管包括绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的闭合圆环形的沟道层和闭合圆环形的栅电极；以及与所述沟道层相接触的闭合圆环形的源电极和闭合圆环形的漏电极；所述漏电极与所述栅电极电连接。本实用新型的薄膜晶体管和场效应二极管的电极形状呈闭合圆环形，其电场沿各个方向更加均匀分布，消除了电场强度的尖峰，从而提高了电压耐受能力。 |
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