| 专利名称 | 一种磁传感器 | 申请号 | CN201721875900.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207938659U | 公开（授权）日 | 2018.10.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 巫远招;刘宜伟;李润伟 | 主分类号 | H01L41/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L41/12(2006.01)I;H01L41/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁传感器 至一种磁传感器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体衬底、源极、漏极与栅极；其中，半导体衬底具有压电效应，半导体衬底上设置具有磁致伸缩性能的磁体；工作状态时，外界磁场作用于磁体，场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号的变化实现该外界磁场的探测。该磁传感器结构简单易行，结合了场效应晶体管的信号放大作用，实现了高灵敏度的磁场探测，在磁传感器技术领域中具有良好的应用前景。 |
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