| 专利名称 | 激光诱导的跨尺度光刻方法 | 申请号 | CN201710678161.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107390476A | 公开（授权）日 | 2017.11.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 魏劲松;魏涛 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 激光诱导的跨尺度光刻方法 至激光诱导的跨尺度光刻方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于激光诱导跨尺度光刻方法，当准直的激光束聚焦到光刻材料时，通过调节激光能量及刻写速度从而改变相变热阈值效应及热扩散，得到从纳米尺度到微米尺度可变的多尺度结构，并且该结构一次形成。本发明简单实用，不需要复杂的操作，特别适用于制作具有不同线宽(从纳米尺度到微米尺度)的掩膜版。可替代半导体工业中的掩膜套刻曝光工艺，从而避免了多次套刻引起的图形误差。 |
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