| 专利名称 | 一种纯化碳纳米管薄膜的方法 | 申请号 | CN201610886214.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106477550A | 公开（授权）日 | 2017.03.08 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 方英;李红变;史济东 | 主分类号 | C01B32/05(2017.01)I | IPC主分类号 | C01B32/05(2017.01)I | 专利有效期 | 一种纯化碳纳米管薄膜的方法 至一种纯化碳纳米管薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种纯化碳纳米管薄膜的方法，其目的在于提高碳纳米管薄膜透过率与电导率，所述方法为：(1)将碳纳米管薄膜转移至目标基底；(2)将碳纳米管薄膜与目标基底一并放入加热炉中，于280～320℃下进行退火处理，然后冷却；(3)将碳纳米管薄膜与目标基底置于盐酸中浸泡，然后洗涤吹干，得到纯化后的碳纳米管薄膜。本发明针对碳纳米管薄膜中石墨碳外壳包裹铁颗粒的杂质结构，首先对碳纳米管薄膜样品在空气中高温退火，去除石墨碳，进一步采用盐酸进行浸泡，除掉铁颗粒，最终达到去除杂质，纯化碳纳米管薄膜的效果，处理后的碳纳米管薄膜具有很高的透明度和导电性。本方法可以达到较高的纯化效率，纯化条件温和，简便易操作。 |
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