| 专利名称 | 集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法 | 申请号 | CN201610798788.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106374019A | 公开（授权）日 | 2017.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 明安杰;刘卫兵;李超波;王玮冰;陈大鹏 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 专利有效期 | 集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法 至集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法。所述集成纳米结构的MEMS红外光源包括承载衬底、支撑层、隔离层、图形化金属电极以及纳米材料辐射层；所述纳米材料辐射层覆盖在图形化金属电极上；所述图形化金属电极设于隔离层上方；所述隔离层设于支撑层上方；所述纳米材料辐射层、图形化电极、隔离层、支撑层均悬浮于所述承载衬底上。本发明可以大幅减少热传导通路，降低热质量，提高红外光源的性能；并且避免后续干法释放对结构的损坏，提高了结构稳定性。 |
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