| 专利名称 | 近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺 | 申请号 | CN201510152568.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106158582A | 公开（授权）日 | 2016.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 刘东方;张伟;刘洪超;王聪;陈小源;杨辉 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 专利有效期 | 近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺 至近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺，包括：1）于单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，采用干法刻蚀或外延生长工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2）于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡层；3）采用选择性刻蚀工艺暴露硅棒阵列顶部的硅；4）以硅棒阵列顶端裸露的硅作为外延生长的籽晶或成核位置，采用化学气相沉积法于硅棒阵列顶部形成连续的硅膜；5）剥离硅膜，将其转移至一预设基底。本发明以单晶硅片为母衬底，?所生长薄膜能够继承母板的晶体质量，保证了薄膜的高晶体质量；薄膜剥离后，衬底经过简单处理又可以重复使用，同时气相化学沉积薄膜生长工艺简单，可有效地降低生产成本。 |
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