| 专利名称 | L10?MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法 | 申请号 | CN201610496714.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106129244A | 公开（授权）日 | 2016.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 鲁军;赵旭鹏;毛思玮;朱礼军;赵建华 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 专利有效期 | L10?MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法 至L10?MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种L10?MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器，包括：一基片，为后续生长的多层膜提供外延基础；一平滑层，其制作在基片上，提供良好的界面平整度和晶格匹配；一参考磁性层，其制作在平滑层上，拥有高晶体质量；一中间层，其制作在参考磁性层上；一探测磁性层，其制作在中间层上，外延生长；一覆盖层，其制作在探测磁性层上，起到保护薄膜的作用。本发明提供一种工艺简单、低成本、宽线性响应范围和高灵敏度的磁敏传感器。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障