| 专利名称 | 一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法 | 申请号 | CN201610404270.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106067656A | 公开（授权）日 | 2016.11.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 徐天鸿;黎华;曹俊诚 | 主分类号 | H01S5/026(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/026(2006.01)I;H01S5/24(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S3/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法 至一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述衬底表面的GaAs缓冲层；位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述下接触层表面的有源区；位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层；位于所述上接触层表面、且彼此分隔的上电极金属层，各上电极金属层间设有凹至所述缓冲层的深隔离槽；及位于所述下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层；所述光放大器根据各上电极金属层分主波导段，和位于主波导段两端、且对称分布的至少两个耦合腔波导段，主波导段和耦合腔波导段在水平方向上呈一直线分布。通过本发明的光放大器，解决了现有光放大器是分立器件，无法与前级THz?QCL同时制备，实现片上集成，而且在使用过程中还需进行光学对准的问题。 |
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