| 专利名称 | 一种量子干涉器件结构及其制备方法 | 申请号 | CN201610404295.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106058036A | 公开（授权）日 | 2016.10.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;谢红;李蕾;王慧山;杨鹏;谢晓明;江绵恒 | 主分类号 | H01L39/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L39/00(2006.01)I;H01L39/16(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种量子干涉器件结构及其制备方法 至一种量子干涉器件结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS2等半导体材料作为器件有效层，利用超导薄膜作为磁场屏蔽，可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性，并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。 |
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