| 专利名称 | CMOS整流二极管电路单元 | 申请号 | CN201510058455.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105991002A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘欣;刘昱;张海英 | 主分类号 | H02M1/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H02M1/06(2006.01)I | 专利有效期 | CMOS整流二极管电路单元 至CMOS整流二极管电路单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS整流二极管电路单元，包括一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管、第一偏置电压源和第二偏置电压源；所述PMOS晶体管的源极与所述第二偏置电压源的负端相连，并一起连接到整流二极管单元的正端，所述PMOS晶体管的栅极与所述第一偏置电压源的负端相连，所述PMOS晶体管的漏极和衬底连接在一起，并与所述NMOS晶体管的漏极和衬底相连；所述NMOS晶体管的源极与所述第一偏置电压源的正端相连，并一起连接到整流二极管单元的负端，所述NMOS晶体管的栅极与所述第二偏置电压源的正端相连。本发明提供的CMOS整流二极管电路单元不仅具有较低的开启电压，而且具有非常低的反向漏电，适用于在超低功耗整流电路中，可有效提高整流电路的效率。 |
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