| 专利名称 | 一种激光二极管与背光探测器集成芯片 | 申请号 | CN201721517175.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207884067U | 公开（授权）日 | 2018.09.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 丘文夫;林琦;林中晞;王凌华;徐玉兰;陈景源;苏辉 | 主分类号 | H01S5/026(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/026(2006.01)I | 专利有效期 | 一种激光二极管与背光探测器集成芯片 至一种激光二极管与背光探测器集成芯片 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本公开涉及一种激光二极管与背光探测器集成芯片。所述芯片包括：一次外延样品；所述一次外延样品包括：n?InP衬底(1)上依次生长n?InP缓冲层(2)，InGaAlAs下分别限制层(3)，有源层(4)，InGaAlAs上分别限制层(5)，p?InP腐蚀停止层(6)，p?InGaAsP接触层(7)，p?InP盖层(8)；所述一次外延样品上形成了脊和隔离区，垂直脊的方向通过隔离区形成2个区域，包括吸收区和激光区。本实用新型制备的芯片具有光功率高，探测功率高，隔离效果好，耦合效率高，暗电流小的特点。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障