一种具有辐射限制框结构的太赫兹天线芯片

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专利名称 一种具有辐射限制框结构的太赫兹天线芯片 申请号 CN201820225729.2 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN207883688U 公开(授权)日 2018.09.18 申请(专利权)人 中国科学院福建物质结构研究所;中国科学院大学 发明(设计)人 林琦;林中晞;徐玉兰;陈景源;苏辉;朱振国;薛正群;丘文夫 主分类号 H01L23/58(2006.01)I IPC主分类号 H01L23/58(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01Q1/22(2006.01)I 专利有效期 一种具有辐射限制框结构的太赫兹天线芯片 至一种具有辐射限制框结构的太赫兹天线芯片 法律状态 说明书摘要 本实用新型涉及一种具有辐射限制框结构的太赫兹天线芯片,其中芯片包括:衬底、太赫兹辐射材料层、天线结构、绝缘增透层和辐射限制框结构;其中,辐射限制框结构以露出衬底的部分下表面和太赫兹辐射材料层的部分上表面的方式包围芯片基底,辐射限制框结构在衬底的下表面露出的部分形成背面透过区,辐射限制框结构在太赫兹辐射材料层的上表面露出的部分形成正面透过区,背面透过区形成辐射透过区;天线结构位于正面透过区内的太赫兹辐射材料层的上表面;绝缘增透层以露出天线结构的方式包围天线结构,辐射限制框结构与天线结构相互电绝缘。本实用新型提出的芯片可以紧凑、高效地实现太赫兹辐射的发射,并改善辐射的方向性。

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