| 专利名称 | 一种半导体芯片 | 申请号 | CN201721793536.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207800580U | 公开（授权）日 | 2018.08.31 | 申请（专利权）人 | 中科院微电子研究所昆山分所 | 发明（设计）人 | 赫然;须贺唯知;王英辉 | 主分类号 | H01L23/13(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/13(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体芯片 至一种半导体芯片 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括芯片层和第一基板；所述第一基板的表面键合有所述芯片层，所述第一基板中朝向所述芯片层的表面设置有至少一个第一凸起，所述第一凸起周围形成有凹陷区域；所述第一凸起的上表面与所述芯片层相接触，所述凹陷区域中设置有连接所述芯片层与所述第一基板的粘结质。在第一基板表面具有第一凸起，该第一凸起会直接与芯片层接触并且进行直接键合，而第一基板表面的凹陷区域会通过粘结质与芯片层进行键合。通过将第一基板直接与芯片层接触可以有效提高半导体芯片的散热性能。 |
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