| 专利名称 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | 申请号 | CN201710574325.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107685196A | 公开（授权）日 | 2018.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 侯煜;刘嵩;张紫辰 | 主分类号 | B23K26/364(2014.01)I | IPC主分类号 | B23K26/364(2014.01)I;B23K26/402(2014.01)I;B23K26/60(2014.01)I | 专利有效期 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 至一种激光加工晶圆的方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置，沿着晶圆上表面的预定切割道方向改变激光光束与预定切割道之间的相对位置以在所述预定切割道上形成凹槽，所述方法包括：将激光光束经整形处理后在所述预定切割道上形成平顶光斑；将平顶光斑进行离焦处理并形成边缘能量大于中间能量的“M”形能量分布；由具有“M”形能量分布的平顶光斑对所述预定切割道进行刻蚀形成凹槽；将平顶光斑进行聚焦处理并形成能量平顶分布，然后由具有能量平顶分布的平顶光斑对凹槽进行再次刻蚀。本发明能够依次通过不同能量分布的平顶光斑对晶圆进行刻蚀，使得所述凹槽的槽底更加平坦，槽壁更加陡直，提高所述凹槽的槽形质量保证后续加工需求和激光加工的良品率。 |
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