| 专利名称 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | 申请号 | CN201710574488.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107234343A | 公开（授权）日 | 2017.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张紫辰;侯煜;刘嵩 | 主分类号 | B23K26/364(2014.01)I | IPC主分类号 | B23K26/364(2014.01)I | 专利有效期 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 至一种激光加工晶圆的方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置，所述方法包括：设置激光光束在晶圆上表面Low?K层上加工后需形成的预设槽形信息；根据预设槽形信息匹配激光光束需具有的拓扑图案分布；根据所述拓扑图案分布对激光光束依次进行分束处理、整形处理和聚焦处理后形成具有所述拓扑图案分布的激光光斑，用以对晶圆上表面Low?K层进行刻蚀并形成预设槽形。本发明能够根据后续的加工工艺需求确定激光光束在晶圆上表面Low?K层上加工后需形成的槽形并形成预设槽形信息，然后通过设置元件设置上述预设槽形信息，并由所述预设槽形信息经控制器匹配到最佳的拓扑图案分布，进而使得在晶圆上表面Low?K层刻蚀形成的凹槽更加均匀，热影响区更小且均一性更高。 |
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