| 专利名称 | 高导电氯化铁掺杂石墨烯纳米片粉体材料的宏量制备方法 | 申请号 | CN201510854032.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106809827A | 公开（授权）日 | 2017.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 裴嵩峰;黄坤;任文才;成会明 | 主分类号 | C01B32/19(2017.01)I | IPC主分类号 | C01B32/19(2017.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 高导电氯化铁掺杂石墨烯纳米片粉体材料的宏量制备方法 至高导电氯化铁掺杂石墨烯纳米片粉体材料的宏量制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及石墨烯领域，具体为一种高导电的氯化铁掺杂石墨烯纳米片粉体材料的宏量制备方法。在干燥环境中将无水氯化铁粉体、鳞片石墨粉体以及五氧化二磷粉体混合均匀后加入反应釜中，对反应釜抽真空并充入氯气和保护性气体的混合气后密封加热，在350～400℃保温5～12小时后冷却取出，将所得物料清洗烘干后制得具有特殊插层结构的氯化铁插层石墨。将该插层石墨加入含有过氧化氢和络合剂的水溶液中进行膨胀剥离，收集剥离后的物料干燥后即得到氯化铁掺杂的石墨烯纳米片粉体材料，该石墨烯粉体材料的薄膜电导率可达5000S/cm以上，可替代贵金属作为高导电材料用于印刷电子器件的制备，可降低印刷电子器件的制作成本并提高性能。 |
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