| 专利名称 | 单行载流子光探测器结构及其制作方法 | 申请号 | CN201611059090.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106784132A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 姚辰;张戎;曹俊诚 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 单行载流子光探测器结构及其制作方法 至单行载流子光探测器结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种单行载流子光探测器结构及其制作方法，利用分步腐蚀的方法，制作出收集层面积比吸收层面积小的光探测器结构，使得器件电容大大减小，在相同吸收层厚度条件下，提高了器件的RC响应带宽，进而提高了器件的总带宽；在相同收集层面积及相同吸收层厚度的条件下(RC带宽、渡越带宽相同)，器件具有更大的吸收层面积，因而具有更大的响应度，可以在更高入射光功率下工作，在高速高功率应用中性能提升更为明显，适用于太赫兹信号产生、高速光通信中的光接收等领域。 |
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