| 专利名称 | 具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201611180940.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106684180A | 公开（授权）日 | 2017.05.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 宋国峰;吴浩越;李健;江宇;于海龙;付东;徐云;朱海军 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法 至具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备。本发明通过采用N结构II类超晶格材料作为吸收层，同时引入吸收增强层，使得器件在目标波长处可获得高达80％的高量子效率，并且在目标波长附近体现了良好的窄带宽特性。 |
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