| 专利名称 | 铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法 | 申请号 | CN201610892160.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106298993A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孙姚耀;韩玺;王国伟;徐应强;牛智川 | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法 至铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法，所述铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器结构，包括：一GaSb衬底；一第一GaSb缓冲层，其生长在GaSb衬底上；一InGaAsSb?PIN型短波器件，其生长在第一GaSb缓冲层上；一第二GaSb缓冲层，其生长在InGaAsSb?PIN型短波器件上；一InAsSb?NIP型中波器件，其生长在第二GaSb缓冲层上。本发明可以实现对红外中波波段及短波波段的信号探测。 |
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