| 专利名称 | 一种相变存储器读出电路及读出方法 | 申请号 | CN201610486617.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106205684A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 雷宇;陈后鹏;李喜;宋志棠 | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储器读出电路及读出方法 至一种相变存储器读出电路及读出方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种相变存储器读出电路及读出方法，包括：读参考电压生成电路，产生一个可以快速区分读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流的读参考电流，并将电流信号转化为电压信号；以及，将读参考电压还原为读参考电流后与相变存储单元中读出的电流相比较的灵敏放大器。本发明同时获取读电流及读参考电流，读参考电流的瞬态值处于读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流之间。本发明在读参考电流中引入对位线寄生参数和读传输门寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，消除了伪读取现象，减小了读出时间；且信号传递速度快、适用范围广、寄生参数匹配方法简单。 |
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