硅基太阳能电池及其制备方法

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专利名称 硅基太阳能电池及其制备方法 申请号 CN201610362000.5 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN106024927A 公开(授权)日 2016.10.12 申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 于静;叶继春;高平奇;韩灿;何坚 主分类号 H01L31/032(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/032(2006.01)I;H01L31/074(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 专利有效期 硅基太阳能电池及其制备方法 至硅基太阳能电池及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提出的一种硅基太阳能电池,包括依次层叠的空穴传输层、第一钝化层、n型硅片,其特征在于所述空穴传输层材料选自碘化亚铜、氯化亚铜、溴化亚铜、氧化镍、氧化钴、氧化钒、氧化钨、氧化钼中的一种。上述硅基太阳能电池,采用高功函数材料作为空穴传输层取代p型掺杂层,低功函数材料作为电子传输层取代n型掺杂层,制备的非掺杂异质结空穴传输层与钝化层或硅片直接接触,耗尽区界面会形成强反型层,通过能带平齐与能带弯曲实现光生载流子向对应方向流动,以实现其有效分离,降低接触电阻和复合速度,带间缺陷态也会受到强反型层的屏蔽作用,从而使电池的开路电压增大,相应地电池转换效率升高。

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