| 专利名称 | 硅基太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201610362000.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106024927A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 于静;叶继春;高平奇;韩灿;何坚 | 主分类号 | H01L31/032(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/074(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基太阳能电池及其制备方法 至硅基太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出的一种硅基太阳能电池，包括依次层叠的空穴传输层、第一钝化层、n型硅片，其特征在于所述空穴传输层材料选自碘化亚铜、氯化亚铜、溴化亚铜、氧化镍、氧化钴、氧化钒、氧化钨、氧化钼中的一种。上述硅基太阳能电池，采用高功函数材料作为空穴传输层取代p型掺杂层，低功函数材料作为电子传输层取代n型掺杂层，制备的非掺杂异质结空穴传输层与钝化层或硅片直接接触，耗尽区界面会形成强反型层，通过能带平齐与能带弯曲实现光生载流子向对应方向流动，以实现其有效分离，降低接触电阻和复合速度，带间缺陷态也会受到强反型层的屏蔽作用，从而使电池的开路电压增大，相应地电池转换效率升高。 |
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