| 专利名称 | 一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪 | 申请号 | CN201610266441.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105929149A | 公开（授权）日 | 2016.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 刘春秀;贾建;蔡浩原;刘昶 | 主分类号 | G01N33/53(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N33/53(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;G01N21/55(2014.01)I | 专利有效期 | 一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪 至一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪，其特征在于，其包括：电控双磁场富集分离系统、光学检测系统和恒温加热系统，所述电控双磁场富集分离系统用于产生交替的磁场，以实现对芯片上磁粒子的双向驱动和富集；所述光学检测系统采用全内反射检测技术，以实现光学图像的检测和分析处理；所述恒温加热系统包括温度传感器和加热片，用于控制检测环境的温度。本发明的检测仪采用电控双磁场技术、全内反射光学检测技术和图像分析软件技术，实现样品中低浓度物质的自动快速检测，仪器便携、一步操作、简单快捷。 |
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