| 专利名称 | 金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管 | 申请号 | CN201610306028.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105914158A | 公开（授权）日 | 2016.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 金智;毛达诚;王少青;彭松昂;史敬元;张大勇 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 专利有效期 | 金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管 至金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管，该制备方法包括：在衬底上光刻定义出需要金属接触的区域，在光刻胶的保护下，利用干法选择性刻蚀出用于沉积下层金属的凹槽；电子束蒸发下层金属，利用剥离工艺得到下层金属图案；转移石墨烯到透明衬底上，旋涂光刻胶，采用从背面曝光的方式，利用已有的下层金属作为光刻掩模，实现上层金属的自对准图形；沉积金属，自对准地形成金属与石墨烯双面接触结构。本发明的方法可以有效保证上下层金属的对准结构，减小石墨烯和金属之间的接触电阻，从而提高石墨烯电子器件的性能。 |
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