| 专利名称 | 一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法 | 申请号 | CN201610300740.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105895575A | 公开（授权）日 | 2016.08.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法 至一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一包括底层硅、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，于所述顶层硅表面形成绝缘层；2）于对应于制备晶体管沟道的位置形成刻蚀窗口；3）刻蚀所述绝缘层，形成贯穿至所述顶层硅的凹槽；4）提供一硅衬底，键合所述硅衬底及所述绝缘层；5）去除所述底层硅；6）去除所述埋氧层。本发明通过在对应于制备晶体管沟道的绝缘层中制作凹槽，该凹槽完全贯穿于顶层硅及底层硅之间，使得后续制备的晶体管沟道下方具有挖空区域。本发明的衬底制备过程中，在保证材料质量的同时，避免了Smart?cut方法中的退火剥离步骤，从而避免了图形化区域的顶层硅因受到较大应力而出现破损的问题。 |
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