| 专利名称 | 一种铁基化合物超导薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201610186647.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105839056A | 公开（授权）日 | 2016.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 徐中堂;马衍伟;原蒲升 | 主分类号 | C23C14/28(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/28(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种铁基化合物超导薄膜的制备方法 至一种铁基化合物超导薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种铁基化合物超导薄膜的制备方法。把铁基超导化合物靶材放入脉冲激光外延沉积系统中，在真空度低于9×10?5Pa的环境下，以脉冲激光熔融铁基超导化合物靶材，并在加热的金属基带上沉积成膜。沉积过程中靶材和金属基带保持有距离；靶材和金属基带两者均保持自转。沉积完成后，降温至环境温度，形成铁基化合物超导薄膜。所述的金属基带为IBAD或RABiTS；金属基带的加热温度为350℃～950℃，沉积时间为50～200分钟，真空度低于9×10?5Pa，激光能量密度为每脉冲100mJ～350mJ，靶材与金属基带之间的距离为3.5cm～5.5cm。所述的铁基超导化合物靶材为FeSe1?xTex，0.1<x<0.9或Ba(Fe1?xCox)2As2，0.05<x<0.9或BaFe2(As1?xPx)2，0.1<x<0.9。 |
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