| 专利名称 | 一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201610289591.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105810819A | 公开（授权）日 | 2016.07.27 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 江潮;刘天俊;王嘉玮;李默林 | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用 至一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用，所述场效应晶体管为在硅基底上具有介电修饰材料层，在该介电修饰材料层上具有螺旋生长的有机分子薄膜层，在该有机分子薄膜层上蒸镀金作为源电极和漏电极。本发明的有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管对载流子迁移率比非螺旋生长的有机分子薄膜晶体管的迁移率明显提高，具有良好的电荷传输性能，在光电器件领域具有广泛的应用前景。 |
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