| 专利名称 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201410838568.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105810729A | 公开（授权）日 | 2016.07.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许淼;朱慧珑;赵利川 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 至鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供具有鳍的半导体衬底，鳍之间形成有隔离；在鳍上形成伪栅器件，并覆盖伪栅器件两侧形成层间介质层；去除伪栅极，以形成开口；进行离子注入，在开口下的鳍内形成穿通停止层，同时，在源漏区内侧的鳍中形成反射掺杂层；在开口中形成替代栅。本发明减小了结漏和结电容，有利于改善器件的阈值电压，尤其在器件尺寸不断缩小时，可抑制阈值电压的卷曲，改善器件的短沟道效应。 |
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