| 专利名称 | 一种半导体磁传感器 | 申请号 | CN201721874323.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207779414U | 公开（授权）日 | 2018.08.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 巫远招;刘宜伟;李润伟 | 主分类号 | G01D5/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01D5/12(2006.01)I;H01L43/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体磁传感器 至一种半导体磁传感器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种半导体磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体基底，以及与半导体基底相连接的源极、漏极与栅极；其中，栅极由压电材料构成的第一栅极与磁致伸缩材料构成的第二栅极组成，并且第一栅极与半导体基底连接，第二栅极与第一栅极连接。该磁传感器结构简单，工作状态时，外界磁场作用于第二栅极时场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测，并且由于结合了场效应晶体管的信号放大作用，能够实现高灵敏度的磁场探测。 |
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