| 专利名称 | 一种场效应晶体管式磁传感器 | 申请号 | CN201721884813.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207781649U | 公开（授权）日 | 2018.08.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 巫远招;刘宜伟;李润伟 | 主分类号 | H01L41/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L41/06(2006.01)I;H01L41/12(2006.01)I;H01L41/47(2013.01)I | 专利有效期 | 一种场效应晶体管式磁传感器 至一种场效应晶体管式磁传感器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种场效应晶体管式磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体基底，源极、漏极与栅极；其中，半导体基底由具有磁致伸缩效应的基底层与具有压电效应的半导体层组成，并且半导体层位于该基底层表面，基底层与半导体层之间电绝缘。该磁传感器结构简单，工作状态时，外界磁场作用于基底层时场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测，并且由于结合了场效应晶体管的信号放大作用，能够实现高灵敏度的磁场探测。 |
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