| 专利名称 | GaN基LED器件 | 申请号 | CN201820059394.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207765474U | 公开（授权）日 | 2018.08.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张韵;赵璐;艾玉杰;孙莉莉;杨帅;程哲;张连;贾利芳;王军喜 | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/02(2010.01)I | 专利有效期 | GaN基LED器件 至GaN基LED器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本发明具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。 |
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