| 专利名称 | 位敏阳极探测器及其制作方法 | 申请号 | CN201710438625.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107389187A | 公开（授权）日 | 2017.11.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 韦永林;赛小锋;刘永安;盛立志 | 主分类号 | G01J1/42(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J1/42(2006.01)I;H01J40/16(2006.01)I | 专利有效期 | 位敏阳极探测器及其制作方法 至位敏阳极探测器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及光子计数成像探测技术领域，具体涉及一种位敏阳极探测器及其制作方法，该探测器包括带有光电阴极的阴极窗、MCP电子倍增器、位敏阳极和管状壳体，位敏阳极包括阳极绝缘衬底以及设置在阳极绝缘衬底上的金属膜阳极，金属膜阳极由n×n个独立阳极沿水平方向并列排成阳极阵列，每个独立阳极为正方形，相邻的独立阳极之间设有绝缘沟道；各独立阳极电极引线垂直穿过阳极绝缘衬底。通过管状壳体封接、管状壳体化铟、阴极窗金属膜蒸镀、制作阳极绝缘衬底、制作金属膜阳极、装配探测器组件、制作光电阴极、探测器铟封步骤完成该探测器的制作。该探测器动态范围大，既可以工作在单光子入射光条件下，又可以工作在较强的入射光条件下。 |
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