| 专利名称 | 一种锑化铟太赫兹探测器及制作方法 | 申请号 | CN201611055724.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107068783A | 公开（授权）日 | 2017.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 黄志明;周炜;姚娘娟;曲越;褚君浩 | 主分类号 | H01L31/0232(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种锑化铟太赫兹探测器及制作方法 至一种锑化铟太赫兹探测器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种锑化铟太赫兹探测器及制作方法，该探测器由高阻硅镜中心下方粘接的锑化铟探测器和背面镀金介质层，衬底两侧粘接的转接金属片，以及器件管座组成。制作方法包括：在氧化铝衬底上粘接单面抛光锑化铟材料，减薄得锑化铟薄层；使用CVD法在薄层表面生长SiOx钝化膜；通过刻蚀工艺制作敏感元，光刻镀金制作耦合天线，使用环氧胶将器件粘接到硅镜中心；在器件上设置背面镀金介质层，增强敏感元处电场强度；使用导电硅脂实现转接金属片和器件管脚的电学连接，使用树脂片实现管座对硅镜和器件的机械支撑。根据所述方法制作的太赫兹探测器结构紧凑，响应范围可覆盖0.04?2.5THz，可在室温及适当制冷条件下实现对太赫兹波的高灵敏探测。 |
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