| 专利名称 | 一种表面等离激元电致激发和电学调制集成器件及其制作方法 | 申请号 | CN201610955028.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106653957A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 李敬;孟祥敏;田利丰;夏静 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 专利有效期 | 一种表面等离激元电致激发和电学调制集成器件及其制作方法 至一种表面等离激元电致激发和电学调制集成器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种表面等离激元电致激发和电学调制集成器件，包括背电极、半导体衬底、半导体有源结构、第一介质层、金属电极和波导结构、定向耦合结构、第二介质层、石墨烯结构以及石墨烯的金属电极和波导结构。通过电注入半导体量子阱材料，以近场耦合作用的方式激发金属和半导体介质界面的表面等离激元，并使之定向耦合输出后在金属?介质波导上传播，实现表面等离激元的电致激发。利用石墨烯载流子浓度随所施加栅电压变化而使得费米能级、介电常数随之变化的特性，在金属电极、第二介质层和石墨烯构成的类场效应管结构中，通过石墨烯所加电压实现对电致激发表面等离激元传播的宽带、高速调制。 |
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