| 专利名称 | CaF2光学薄膜元件的制备方法及CaF2光学薄膜元件 | 申请号 | CN201611168144.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106405688A | 公开（授权）日 | 2017.02.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 邓文渊;金春水;靳京城;李春 | 主分类号 | G02B1/10(2015.01)I | IPC主分类号 | G02B1/10(2015.01)I;G02B1/14(2015.01)I | 专利有效期 | CaF2光学薄膜元件的制备方法及CaF2光学薄膜元件 至CaF2光学薄膜元件的制备方法及CaF2光学薄膜元件 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种CaF2光学薄膜元件的制备方法，包括以下步骤：对CaF2光学基底表面及亚表面层进行有效表征；对CaF2光学基底表面及亚表面层进行超光滑处理，获得缺陷含量更低的CaF2光学基底表面及亚表面层；在CaF2光学基底表面镀制薄膜得到CaF2光学薄膜元件。本方案可以有效提高CaF2光学薄膜元件抗深紫外激光辐照的能力，有效延长CaF2光学薄膜元件在深紫外波段高重频和高平均功率密度条件下的工作寿命。 |
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