| 专利名称 | 一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法 | 申请号 | CN201610436198.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106399937A | 公开（授权）日 | 2017.02.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 丁发柱;商红静;古宏伟;屈飞;张贺;张慧亮;董泽斌 | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法 至一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶放在衬底上；调整靶基距至100mm～140mm，抽真空至5x10?4Pa～7.5x10?4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至350℃～450℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为0.3Pa～0.5Pa的条件下开始溅射镀膜；最后对溅射的薄膜在250℃～350℃的退火处理，形成择优取向碲化铋热电薄膜。 |
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